磷化銦（InP）單晶基片材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測器等的關鍵材料，這些器件實現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質結雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質結晶體管等許多高技術領域有廣泛的應用. InP單晶材料的主要生長方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術（LEC）、改進的LEC技術、氣壓控制直拉技術（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術（VGF）/垂直布里奇曼技術（VB）等。
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單晶
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摻雜
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導電
類型
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載流子濃度
cm-3
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遷移率(cm2/V.s)
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位錯密度(cm-2)
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標準基片
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InP
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本征
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N
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(0.4-2)*1016
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(3.5-4)*103
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5*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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S
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N
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(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
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(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
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3*104
2*103
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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Zn
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P
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(0.6-2)*1018
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70-90
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2*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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Fe
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N
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107-108
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³2000
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3*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 |
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拋光
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單面或雙面
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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