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　　氮化鎵（GaN）具有寬的直接帶隙，強(qiáng)的原子鍵，高的熱導(dǎo)率等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，不僅是短波長(zhǎng)光電子材料，也是高溫半導(dǎo)體器件的換代材料，GaN體系可以用來制備藍(lán)、綠光LED，藍(lán)紫、紫外光LD、紫外探測(cè)器以及高頻大功率電子器件。

產(chǎn)品型號(hào)Item	GaN-FS-10	GaN-FS-15
尺寸Dimensions	10.0mm×10.5mm	14.0mm×15.0mm
孔洞密度Marco Defect Density	A Level	0 cm-2
	B Level	≤ 2 cm-2
厚度Thickness	Rank 300	300 ± 25 µm
	Rank 350	350 ± 25 µm
	Rank 400	400 ± 25 µm
晶體取向Orientation	C-axis(0001) ± 0.5°
TTV(Total Thickness Variation)	≤15 µm
彎曲度BOW	≤20 µm
導(dǎo)電類型Conduction Type	N-type	Semi-Insulating
電阻率Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm	>106 Ω·cm
位錯(cuò)密度Dislocation Density	Less than 5x106 cm-2
有效面積Useable Surface Area	> 90%
拋光Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: Fine ground
包裝Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.