鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常小（鋁酸鋰為1.4%）而成為氮化鎵薄膜的優(yōu)質(zhì)基片。
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晶體結(jié)構(gòu)
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四方
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晶格常數(shù)
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a=5.17 A c=6.26 A
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熔點(diǎn)（℃）
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1900
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密度
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2.62（g/cm3）
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硬度
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7.5（mohs）
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與GaN失配率<001>
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1.4%
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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＜100＞ ＜001>
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°（特殊要求可達(dá)1°以?xún)?nèi)）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包裝
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100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室
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