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GaN 薄膜基片

鎂鋁尖晶石 (MgAl6O10)單晶基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長(zhǎng)用新型襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系,空間群為Fd-3m (227),晶胞參數(shù)a = 7.9780?,其密度為3.585g/cm3。與MgAl2O4晶體相比,MgAl6O10單晶與GaN的熱膨脹失配和晶格失配更小。與GaN的熱膨脹失配為2.2×10?6 K?1,晶格失配為?11.5%。此外,MgAl6O10單晶由于熔點(diǎn)較MgAl2O4晶體低,更易于生長(zhǎng)大尺寸和高質(zhì)量的晶體。實(shí)驗(yàn)證明,在MgAl6O10單晶襯底上制備的GaN和ZnO器件的發(fā)光性能比藍(lán)寶石有所提升。

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產(chǎn)品詳細(xì)
   MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長(zhǎng)用新型襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系,空間群為Fd-3m (227),晶胞參數(shù)a = 7.9780Å,其密度為3.585g/cm3。與MgAl2O4晶體相比,MgAl6O10單晶與GaN的熱膨脹失配和晶格失配更小。與GaN的熱膨脹失配為2.2×10−6 K−1,晶格失配為−11.5%。此外,MgAl6O10單晶由于熔點(diǎn)較MgAl2O4晶體低,更易于生長(zhǎng)大尺寸和高質(zhì)量的晶體。實(shí)驗(yàn)證明,在MgAl6O10單晶襯底上制備的GaN和ZnO器件的發(fā)光性能比藍(lán)寶石有所提升。

可以提供產(chǎn)品:
方向:(111)(100)(110)
尺寸:5×5mm, 10*10mm, 15*15mm, 20*20mm
最大尺寸:直徑2英寸
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